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RGTH80TS65DGC13

RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

rgth80ts65dgc13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgth80ts65dgc13-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
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RGTH80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
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IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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RGTH80TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
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Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
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