RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.88 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 3.66 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns, Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 234 W.
Weitere Produktangebote RGTH80TS65GC11 nach Preis ab 5.34 EUR bis 8.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH80TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 234 W |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
RGTH80TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
|
|
RGTH80TS65GC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |