RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 64 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 194 W.
Weitere Produktangebote RGTV60TS65DGC11
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGTV60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 194 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGTV60TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 194 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| RGTV60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
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| RGTV60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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