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RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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Technische Details RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N, Power - Max: 194 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 64 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTV60TS65DGC11 RGTV60TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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RGTV60TS65DGC11 RGTV60TS65DGC11 ROHM 2644305.pdf Description: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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RGTV60TS65DGC11 datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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RGTV60TS65DGC11 2644305.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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