Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGTVX2TS65DGC13

RGTVX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor


rgtvx2ts65d-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.15 EUR
10+11.04 EUR
120+8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGTVX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE, Power - Max: 319 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 111 A, Gate Charge: 123 nC, Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247GE, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Reverse Recovery Time (trr): 111 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote RGTVX2TS65DGC13 nach Preis ab 9.9 EUR bis 21.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTVX2TS65DGC13 RGTVX2TS65DGC13 ROHM Semiconductor rgtvx2ts65d-e.pdf IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.34 EUR
10+11.9 EUR
100+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13 RGTVX2TS65DGC13 ROHM 4155189.pdf Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.72 EUR
14+17.42 EUR
16+13.55 EUR
50+12.42 EUR
100+11.29 EUR
250+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13 rgtvx2ts65d-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.34 EUR
10+11.9 EUR
100+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13 4155189.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.72 EUR
14+17.42 EUR
16+13.55 EUR
50+12.42 EUR
100+11.29 EUR
250+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH