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RGTVX2TS65GC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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Technische Details RGTVX2TS65GC11 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns, Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 111 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 319 W.

Weitere Produktangebote RGTVX2TS65GC11 nach Preis ab 7.51 EUR bis 15.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGTVX2TS65GC11 RGTVX2TS65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
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RGTVX2TS65GC11 datasheet?p=RGTVX2TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
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Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
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Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
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