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RGTVX6TS65DGC11

RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor


rgtvx6ts65d-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N, Power - Max: 404 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Part Status: Not For New Designs, Gate Charge: 171 nC, Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor rgtvx6ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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