RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor
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Technische Details RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Power - Max: 404 W.
Weitere Produktangebote RGTVX6TS65DGC11 nach Preis ab 7.34 EUR bis 14.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGTVX6TS65DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
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RGTVX6TS65DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTVX6TS65DGC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 109 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 171 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 144 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 404 W |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGTVX6TS65DGC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 404W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTVX6TS65DGC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors RGTVX6TS65D is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for PFC, Solar Inverter, UPS, Welding, IH applications. |
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