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RGW40TS65DGC13

RGW40TS65DGC13 ROHM Semiconductor

rgw40ts65d-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
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Technische Details RGW40TS65DGC13 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247GE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns, Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 59 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 136 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGW40TS65DGC13 RGW40TS65DGC13 ROHM 4155191.pdf Description: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
43+5.4 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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RGW40TS65DGC13 RGW40TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgw40ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
30+6.21 EUR
120+5.16 EUR
510+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGW40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR rgw40ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 0.33mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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RGW40TS65DGC13 4155191.pdf
RGW40TS65DGC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGW40TS65DGC13
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 600 Stücke:
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RGW40TS65DGC13 rgw40ts65d-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 0.33mJ
Technology: Field Stop; Trench
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