RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
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| 29+ | 6.3 EUR |
| 30+ | 5.94 EUR |
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Technische Details RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.
Weitere Produktangebote RGW60TS65DGC11 nach Preis ab 5.03 EUR bis 12.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGW60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW60TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5 DC-Kollektorstrom: 60 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 178 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| RGW60TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 178W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 84nC Turn-on time: 37ns Turn-off switching energy: 0.49mJ Turn-on switching energy: 0.48mJ Technology: Field Stop; Trench |
auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.3 EUR |
| 30+ | 5.94 EUR |
| 50+ | 5.58 EUR |
| 100+ | 5.27 EUR |
| 250+ | 5.03 EUR |
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 10.14 EUR |
| 50+ | 5.66 EUR |
| 100+ | 5.44 EUR |
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.65 EUR |
| 10+ | 7.25 EUR |
| 100+ | 6.06 EUR |
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.9 EUR |
| 30+ | 7.38 EUR |
| 120+ | 6.16 EUR |
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RGW60TS65DGC11 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)