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RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

rgw60ts65d-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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Technische Details RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns, Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 178 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : ROHM 2621219.pdf Description: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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RGW60TS65DGC11 RGW60TS65DGC11 Hersteller : Rohm Semiconductor rgw60ts65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
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