RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 20+ | 7.48 EUR |
| 25+ | 5.66 EUR |
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Technische Details RGW60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-247N, Dauerkollektorstrom: 64A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGW60TS65DHRC11 nach Preis ab 5.81 EUR bis 11.88 EUR
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Preis | ||||||||
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RGW60TS65DHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGW60TS65DHRC11 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 64A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 178 W |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW60TS65DHRC11 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGW60TS65DHRC11 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 64A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |