Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGW80NL65DHRBTL
RGW80NL65DHRBTL

RGW80NL65DHRBTL ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10 EUR
10+6.92 EUR
25+5.98 EUR
100+4.93 EUR
250+4.42 EUR
500+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGW80NL65DHRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263L, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RGW80NL65DHRBTL

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RGW80NL65DHRBTL RGW80NL65DHRBTL Hersteller : ROHM rgw80nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGW80NL65DHRBTL RGW80NL65DHRBTL Hersteller : ROHM rgw80nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH