RGW80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
IGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.31 EUR |
| 10+ | 7.81 EUR |
| 25+ | 7.37 EUR |
| 100+ | 6.32 EUR |
| 250+ | 5.97 EUR |
| 600+ | 5.61 EUR |
| 1200+ | 4.80 EUR |
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Technische Details RGW80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RGW80TS65DGC13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RGW80TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A SVHC: To Be Advised |
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