RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.72 EUR |
| 500+ | 1.47 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 3000+ | 1.12 EUR |
| 6000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RH6E040BGTB1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RH6E040BGTB1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: To Be Advised |
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RH6E040BGTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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