Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RH6E040BGTB1
RH6E040BGTB1

RH6E040BGTB1 Rohm Semiconductor

rh6e040bgtb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RH6E040BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RH6E040BGTB1 nach Preis ab 1.27 EUR bis 4.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH6E040BGTB1 RH6E040BGTB1 ROHM 4197366.pdf Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor rh6e040bgtb1-e.pdf MOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.62 EUR
100+2.05 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.33 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 RH6E040BGTB1 ROHM 4197366.pdf Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
82+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 RH6E040BGTB1 Rohm Semiconductor rh6e040bgtb1-e.pdf Description: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 4197366.pdf
RH6E040BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 rh6e040bgtb1-e.pdf
RH6E040BGTB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.2 EUR
10+2.62 EUR
100+2.05 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.33 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 4197366.pdf
RH6E040BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
82+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RH6E040BGTB1 rh6e040bgtb1-e.pdf
RH6E040BGTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH