RH6G040BGTB1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details RH6G040BGTB1 ROHM
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 59W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote RH6G040BGTB1 nach Preis ab 1.58 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFET NCH 40V 95A MOSFET |
auf Bestellung 5961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RH6G040BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RH6G040BGTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 59W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RH6G040BGTB1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET NCH 40V 95A MOSFET
MOSFET NCH 40V 95A MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| 3000+ | 1.62 EUR |
| RH6G040BGTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.52 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| RH6G040BGTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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