RH6N040BHTB1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Technische Details RH6N040BHTB1 ROHM
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote RH6N040BHTB1 nach Preis ab 1.31 EUR bis 4.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RH6N040BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RH6N040BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
auf Bestellung 2819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RH6N040BHTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 65A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.84 EUR |
| 88+ | 2.64 EUR |
| RH6N040BHTB1 |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.41 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.55 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 3000+ | 1.31 EUR |