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RH6P040BHTB1

RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

rh6p040bhtb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
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Technische Details RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
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RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor rh6p040bhtb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
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10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
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RH6P040BHTB1 RH6P040BHTB1 ROHM rh6p040bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RH6P040BHTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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