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RH7G04BBJFRATCB

RH7G04BBJFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RH7G04BBJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RH7G04BBJFRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH7G04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0119 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm.

Weitere Produktangebote RH7G04BBJFRATCB nach Preis ab 1.27 EUR bis 5.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Rohm Semiconductor datasheet?p=RH7G04BBJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB ROHM Semiconductor datasheet?p=RH7G04BBJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN3333 P-CH 40V 40A
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.53 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.27 EUR
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RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB ROHM datasheet?p=RH7G04BBJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RH7G04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0119 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
74+3.15 EUR
109+1.98 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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RH7G04BBJFRATCB datasheet?p=RH7G04BBJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RH7G04BBJFRATCB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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500+1.54 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.27 EUR
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RH7G04BBJFRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7G04BBJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0119 ohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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