RH7G04BBLFRATCB ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| 3000+ | 1.38 EUR |
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Technische Details RH7G04BBLFRATCB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Weitere Produktangebote RH7G04BBLFRATCB nach Preis ab 2.05 EUR bis 5.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RH7G04BBLFRATCB | ROHM |
 Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RH7G04BBLFRATCB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.72 EUR |
| 68+ | 3.44 EUR |
| 105+ | 2.05 EUR |