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RH7L03BBKFRATCB

RH7L03BBKFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RH7L03BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 70µA
Supplier Device Package: DFN3333T8LSAB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RH7L03BBKFRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RH7L03BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0264 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RH7L03BBKFRATCB RH7L03BBKFRATCB ROHM Semiconductor datasheet?p=RH7L03BBKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
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RH7L03BBKFRATCB RH7L03BBKFRATCB ROHM rh7l03bbkfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7L03BBKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0264 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
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103+2.26 EUR
148+1.45 EUR
500+1.18 EUR
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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100+4 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
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RH7L03BBKFRATCB
Hersteller: ROHM
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Kanaltyp: n-Kanal
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Hersteller: ROHM
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