RHP020N06FRAT100 ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Polarisation: unipolar
Case: MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Polarisation: unipolar
Case: MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.34Ω
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
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auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 167+ | 0.43 EUR |
| 176+ | 0.41 EUR |
| 198+ | 0.36 EUR |
| 215+ | 0.33 EUR |
| 228+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details RHP020N06FRAT100 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RHP020N06FRAT100 nach Preis ab 0.31 EUR bis 0.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RHP020N06FRAT100 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Polarisation: unipolar Case: MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.34Ω Drain current: 2A Power dissipation: 2W Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
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RHP020N06FRAT100 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RHP020N06FRAT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RHP020N06FRAT100 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |