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RHP020N06FRAT100

RHP020N06FRAT100 ROHM SEMICONDUCTOR


Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 671 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
179+0.48 EUR
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Technische Details RHP020N06FRAT100 ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RHP020N06FRAT100 RHP020N06FRAT100 ROHM rhp020n06fra-e.pdf Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 847 Stücke:
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100+2.46 EUR
120+1.8 EUR
200+1.3 EUR
500+1.12 EUR
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RHP020N06FRAT100 RHP020N06FRAT100 ROHM rhp020n06fra-e.pdf Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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RHP020N06FRAT100
Hersteller: ROHM
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Kanaltyp: n-Kanal
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RHP020N06FRAT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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