Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RHU002N06FRAT106
RHU002N06FRAT106

RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor

rhu002n06fra-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A Automotive 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1252+0.11 EUR
1491+0.088 EUR
2000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1252
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote RHU002N06FRAT106 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RHU002N06FRAT106 RHU002N06FRAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RHU002N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHU002N06FRAT106 RHU002N06FRAT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RHU002N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT323 N-CH 60V .2A
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHU002N06FRAT106 RHU002N06FRAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RHU002N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
45+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHU002N06FRAT106 RHU002N06FRAT106 Hersteller : ROHM rhu002n06frat106-e.pdf Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHU002N06FRAT106 RHU002N06FRAT106 Hersteller : ROHM rhu002n06frat106-e.pdf Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHU002N06FRAT106 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RHU002N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH