RHU003N03FRAT106 ROHM Semiconductor
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Technische Details RHU003N03FRAT106 ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.3A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 0.2W, Case: UMT3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.3Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.
Weitere Produktangebote RHU003N03FRAT106
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| RHU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: UMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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RHU003N03FRAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 |
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RHU003N03FRAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 |
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| RHU003N03FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; UMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: UMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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