RJ1G10BBGTL1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RJ1G10BBGTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RJ1G10BBGTL1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1G10BBGTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
RJ1G10BBGTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. |
Produkt ist nicht verfügbar |