RJ1L10BBGTL1 ROHM
Hersteller: ROHMDescription: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details RJ1L10BBGTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RJ1L10BBGTL1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RJ1L10BBGTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. |
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