RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
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Technische Details RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 192W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 175nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 240A, Case: D2PAK, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, On-state resistance: 4.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote RJ1L12BGNTLL nach Preis ab 3.16 EUR bis 10.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 192W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 192W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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