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RJ1L12BGNTLL

RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor


rj1l12bgntll-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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Technische Details RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 192W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 175nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 240A, Case: D2PAK, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, On-state resistance: 4.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.

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RJ1L12BGNTLL RJ1L12BGNTLL Hersteller : Rohm Semiconductor rj1l12bgntll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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RJ1L12BGNTLL RJ1L12BGNTLL Hersteller : Rohm Semiconductor rj1l12bgntll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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RJ1L12BGNTLL RJ1L12BGNTLL Hersteller : ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET
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RJ1L12BGNTLL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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RJ1L12BGNTLL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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