RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 38+ | 3.86 EUR |
| 50+ | 3.23 EUR |
| 100+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
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Technische Details RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 175nC, On-state resistance: 4.1mΩ, Power dissipation: 192W, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 240A.
Weitere Produktangebote RJ1L12BGNTLL nach Preis ab 2.96 EUR bis 11.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1L12BGNTLL | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs LPTL N CHAN 60V |
auf Bestellung 1792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RJ1L12BGNTLL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 192W Drain current: 120A Pulsed drain current: 240A |
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