RJ1N04BBHTL1 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.89 EUR |
| 10+ | 5.13 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 800+ | 3.17 EUR |
| 2400+ | 2.98 EUR |
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Technische Details RJ1N04BBHTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote RJ1N04BBHTL1 nach Preis ab 5.5 EUR bis 9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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RJ1N04BBHTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1N04BBHTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RJ1N04BBHTL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9 EUR |
| 43+ | 5.5 EUR |
| RJ1N04BBHTL1 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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usEccn: EAR99
Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


