Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RJ1N04BBHTL1
RJ1N04BBHTL1

RJ1N04BBHTL1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.79 EUR
10+4.31 EUR
100+3.5 EUR
500+3.1 EUR
800+2.66 EUR
2400+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RJ1N04BBHTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RJ1N04BBHTL1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RJ1N04BBHTL1 RJ1N04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1n04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1N04BBHTL1 RJ1N04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1n04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH