RJ1P04BBHTL1 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details RJ1P04BBHTL1 ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RJ1P04BBHTL1 nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RJ1P04BBHTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1P04BBHTL1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
auf Bestellung 694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJ1P04BBHTL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO263 100V 80A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RJ1P04BBHTL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJ1P04BBHTL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJ1P04BBHTL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.29 EUR |
| 50+ | 4.74 EUR |
| 100+ | 3.11 EUR |
| RJ1P04BBHTL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.47 EUR |
| 10+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.46 EUR |
| RJ1P04BBHTL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO263 100V 80A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 80A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.58 EUR |
| 10+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 500+ | 3.28 EUR |
| 800+ | 3 EUR |
| RJ1P04BBHTL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 3.11 EUR |
| 59+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| RJ1P04BBHTL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.8 EUR |
| 57+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |