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RJ1P04BBHTL1

RJ1P04BBHTL1 ROHM Semiconductor

rj1p04bbhtl1-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET NCH 100V 80A
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Technische Details RJ1P04BBHTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote RJ1P04BBHTL1 nach Preis ab 2.26 EUR bis 7.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : ROHM rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: ROHM - RJ1P04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+2.64 EUR
59+2.44 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 57
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RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.22 EUR
57+2.51 EUR
100+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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RJ1P04BBHTL1 RJ1P04BBHTL1 Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p04bbhtl1-e.pdf Description: NCH 100V 40A, TO-263AB, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
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