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RJ1P07CBHTL1 Rohm Semiconductor

Name: RJ1P07CBHTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 52505594-3
Price: 2800.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V

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Technische Details RJ1P07CBHTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 135W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.

Weitere Produktangebote RJ1P07CBHTL1 nach Preis ab 3.9 EUR bis 11.02 EUR

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RJ1P07CBHTL1

ROHM

Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

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RJ1P07CBHTL1

ROHM Semiconductor

MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET

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RJ1P07CBHTL1

ROHM

Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

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RJ1P07CBHTL1

Rohm Semiconductor

Description: NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V

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RJ1P07CBHTL1

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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RJ1P07CBHTL1

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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RJ1P07CBHTL1

Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

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RJ1P07CBHTL1

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MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET

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10+	6.62 EUR
100+	4.76 EUR
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RJ1P07CBHTL1

Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1P07CBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm

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35+	6.69 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V

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RJ1P07CBHTL1

Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

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40+	4.36 EUR
50+	4.13 EUR
100+	3.9 EUR

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

auf Bestellung 80 Stücke:

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50+	4.36 EUR

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