RJ1P10BBHTL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 5.03 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RJ1P10BBHTL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RJ1P10BBHTL1 nach Preis ab 5.44 EUR bis 11.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1P10BBHTL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
RJ1P10BBHTL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO263 100V 170A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
RJ1P10BBHTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
RJ1P10BBHTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJ1P10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |