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RJ1P12BBDTLL

RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor

datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 120A(Id), (6.0V Drive)
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Technische Details RJ1P12BBDTLL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 3
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RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Hersteller : ROHM 2703478.pdf Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Hersteller : ROHM 2703478.pdf Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RJ1P12BBDTLL Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p12bbdtll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.22 EUR
25+5.74 EUR
50+5.32 EUR
100+4.94 EUR
250+4.6 EUR
500+4.29 EUR
1000+4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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RJ1P12BBDTLL Hersteller : Rohm Semiconductor rj1p12bbdtll-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.22 EUR
25+5.74 EUR
50+5.32 EUR
100+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
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RJ1P12BBDTLL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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