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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.45 EUR |
| 10+ | 8.96 EUR |
| 25+ | 8.13 EUR |
| 100+ | 7.46 EUR |
| 250+ | 7.02 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| 800+ | 5.77 EUR |
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Technische Details RJ1R10BBHTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote RJ1R10BBHTL1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RJ1R10BBHTL1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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RJ1R10BBHTL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0063 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 181W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |