| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.44 EUR |
| 10+ | 10.66 EUR |
| 25+ | 9.67 EUR |
| 100+ | 8.88 EUR |
| 250+ | 8.35 EUR |
| 500+ | 8.1 EUR |
| 800+ | 6.87 EUR |
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Technische Details RJ1R10BBHTL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 181W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm.
Weitere Produktangebote RJ1R10BBHTL1 nach Preis ab 6.59 EUR bis 14.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RJ1R10BBHTL1 | ROHM |
 Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8200 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 181W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJ1R10BBHTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 181W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJ1R10BBHTL1 |
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Hersteller: ROHM
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.9 EUR |
| 24+ | 9.75 EUR |
| 100+ | 6.59 EUR |
| RJ1R10BBHTL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RJ1R10BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.9 EUR |
| 24+ | 9.75 EUR |
| 100+ | 6.59 EUR |