Technische Details RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas
Description: IGBT TRENCH 650V 100A TO247A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247A, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns, Switching Energy: 1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 175 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote RJH65D27BDPQ-A0#T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RJH65D27BDPQ-A0#T2 | Renesas |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247A Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
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Hersteller: Renesas
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247A Tube
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