RJK005N03FRAT146 ROHM Semiconductor
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Technische Details RJK005N03FRAT146 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RJK005N03FRAT146
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RJK005N03FRAT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 |
auf Bestellung 3878 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RJK005N03FRAT146 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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RJK005N03FRAT146 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJK005N03FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.4 ohm, SMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJK005N03FRAT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RJK005N03FRAT146 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| RJK005N03FRAT146 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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