RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.15 EUR |
| 10+ | 3.45 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 250+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |
| 2500+ | 1.92 EUR |
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Technische Details RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas |
SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V |
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