RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics
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Technische Details RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics
Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote RJK0330DPB-01#J0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0027 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas |
SILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RJK0330DPB-01#J0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V |
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