RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 1.26 EUR |
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Technische Details RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RJK0332DPB-01#J0 nach Preis ab 1.37 EUR bis 3.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics |
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF |
auf Bestellung 2966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0332DPB-01#J0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0332DPB-01#J0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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RJK0332DPB-01#J0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RJK0332DPB-01#J0 |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
MOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.37 EUR |
| RJK0332DPB-01#J0 |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.5 EUR |
| RJK0332DPB-01#J0 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RJK0332DPB-01#J0 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH