RJK0652DPB-00#J5 RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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Technische Details RJK0652DPB-00#J5 RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 55W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Weitere Produktangebote RJK0652DPB-00#J5 nach Preis ab 2.18 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RJK0652DPB-00#J5 | Renesas Electronics |
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF |
auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0652DPB-00#J5 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 55W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJK0652DPB-00#J5 |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2500+ | 2.18 EUR |
| RJK0652DPB-00#J5 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.2 EUR |
| 55+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |