RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics
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Technische Details RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RJK0652DPB-00#J5 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, OberflächenmontageDrain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
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RJK0652DPB-00#J5 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJK0652DPB-00#J5 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
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