RJK0652DPB-00#J5 RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details RJK0652DPB-00#J5 RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RJK0652DPB-00#J5 nach Preis ab 2.18 EUR bis 7.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RJK0652DPB-00#J5 | Renesas Electronics |
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF |
auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJK0652DPB-00#J5 | RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJK0652DPB-00#J5 |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
MOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2500+ | 2.18 EUR |
| RJK0652DPB-00#J5 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.18 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 2.81 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |