RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO220AB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 178.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
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Technische Details RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO220AB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 178.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Supplier Device Package: TO-220AB, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Input Type: Standard.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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| RJP6085DPN-00#T2 | Renesas Electronics |
IGBT Transistors Power Module - Lead Free |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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