RJP6085DPN-00#T2

RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation


rjp6085dpn-datasheet Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 178.5 W
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Technische Details RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT 600V 40A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 178.5 W.

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RJP6085DPN-00#T2 Hersteller : Renesas Electronics REN_rej03g1863_rjp6085dpnds_DST_20091109-1999203.pdf IGBT Transistors Power Module - Lead Free
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