RJU002N06FRAT106 ROHM Semiconductor
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
45+ | 1.16 EUR |
61+ | 0.86 EUR |
132+ | 0.4 EUR |
1000+ | 0.29 EUR |
3000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.17 EUR |
24000+ | 0.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RJU002N06FRAT106 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RJU002N06FRAT106
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
auf Bestellung 8740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
||
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
||
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Mounting: SMD Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: UMT3 On-state resistance: 3.1Ω Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
RJU002N06FRAT106 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Mounting: SMD Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: UMT3 On-state resistance: 3.1Ω Gate-source voltage: ±12V |
Produkt ist nicht verfügbar |