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RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
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Technische Details RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RJU003N03FRAT106 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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44+0.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 27
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RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101
auf Bestellung 5228 Stücke:
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Anzahl Preis
4+0.72 EUR
10+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Hersteller : ROHM datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RJU003N03FRAT106 RJU003N03FRAT106 Hersteller : ROHM datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RJU003N03FRAT106 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJU003N03FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
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