RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RJU003N03FRAT106 nach Preis ab 0.13 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RJU003N03FRAT106 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101 |
auf Bestellung 2956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJU003N03FRAT106 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RJU003N03FRAT106 | ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RJU003N03FRAT106 | ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RJU003N03FRAT106 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101
MOSFETs 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.77 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| RJU003N03FRAT106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 0.82 EUR |
| 42+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| RJU003N03FRAT106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 270+ | 0.93 EUR |
| 441+ | 0.52 EUR |
| 695+ | 0.31 EUR |
| 1007+ | 0.21 EUR |
| 1500+ | 0.19 EUR |
| RJU003N03FRAT106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 200mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: UMT
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 399+ | 0.58 EUR |
| 629+ | 0.35 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1500+ | 0.2 EUR |


