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RK7002BMHZGT116

RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
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Technische Details RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor rk7002bmhzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7040 Stücke:
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1954+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 1954
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
93+0.19 EUR
150+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23
auf Bestellung 25459 Stücke:
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14+0.20 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : ROHM rk7002bmhzgt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor rk7002bmhzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
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RK7002BMHZGT116 RK7002BMHZGT116 Hersteller : ROHM rk7002bmhzgt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1065 Stücke:
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RK7002BMHZGT116
Produktcode: 165406
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datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistoren > MOSFET N-CH
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RK7002BMHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RK7002BMHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BMHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
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