RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor
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Technische Details RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RK7002BMHZGT116 nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.3 EUR
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMHZGT116 Produktcode: 165406
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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RK7002BMHZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 60V Vds 0.25A 3Rds(on) SOT-23 |
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| RK7002BMHZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
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