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RK7002BMT116

RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.043 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.036 EUR
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Technische Details RK7002BMT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 74359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1670+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.096 EUR
10000+0.092 EUR
25000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1306+0.13 EUR
2067+0.084 EUR
2093+0.081 EUR
2404+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1306 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor rk7002bmt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1368+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1368 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
593+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
132+0.15 EUR
228+0.092 EUR
500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 206995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
910+0.25 EUR
1467+0.14 EUR
2013+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
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RK7002BMT116 RK7002BMT116 ROHM rk7002bmt116-e.pdf Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.44 EUR
910+0.25 EUR
1467+0.14 EUR
2013+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
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RK7002BMT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 74359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1670+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.096 EUR
10000+0.092 EUR
25000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1306+0.13 EUR
2067+0.084 EUR
2093+0.081 EUR
2404+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1306 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1368+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1368 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
593+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
132+0.15 EUR
228+0.092 EUR
500+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 206995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
572+0.44 EUR
910+0.25 EUR
1467+0.14 EUR
2013+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
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RK7002BMT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
572+0.44 EUR
910+0.25 EUR
1467+0.14 EUR
2013+0.11 EUR
2278+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
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