RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 9000+ | 0.03 EUR |
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Technische Details RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RK7002BMT116 nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 80614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 148463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET |
auf Bestellung 213133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RK7002BMT116 | Hersteller : Rohm |
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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