RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 9000+ | 0.03 EUR |
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Technische Details RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RK7002BMT116 nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RK7002BMT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 80614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 148463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET |
auf Bestellung 214039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RK7002BMT116 | ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 29050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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RK7002BMT116 | ROHM |
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 29050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 80614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1670+ | 0.087 EUR |
| 2500+ | 0.083 EUR |
| 5000+ | 0.079 EUR |
| 10000+ | 0.075 EUR |
| 25000+ | 0.072 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1456+ | 0.099 EUR |
| 2500+ | 0.095 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1309+ | 0.11 EUR |
| 2075+ | 0.069 EUR |
| 2101+ | 0.066 EUR |
| 2410+ | 0.057 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 200/350mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 593+ | 0.12 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 0.26 EUR |
| 132+ | 0.13 EUR |
| 228+ | 0.077 EUR |
| 500+ | 0.066 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 214039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.3 EUR |
| 16+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.083 EUR |
| 1000+ | 0.072 EUR |
| 3000+ | 0.06 EUR |
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RK7002BMT116 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RK7002BMT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




