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RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: BRIDGE RECT 1P 200V 0.5A TO269AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP, Mounting Type: Surface Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: TO-269AA (MBS), Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 500 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
RMB2S-E3/80 RMB2S-E3/80 Vishay General Semiconductor rmbs.pdf Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
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