RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics
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| 1+ | 7.30 EUR |
| 10+ | 5.97 EUR |
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| 250+ | 5.51 EUR |
| 500+ | 5.30 EUR |
| 1000+ | 5.10 EUR |
| 2000+ | 4.82 EUR |
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Technische Details RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit.
Weitere Produktangebote RMLV0416EGSB-4S2#HA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit |
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 |
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 |
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