RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 10.71 EUR |
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Technische Details RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit.
Weitere Produktangebote RMLV0816BGSB-4S2#HA0 nach Preis ab 10.24 EUR bis 15.03 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Hersteller : Renesas Electronics |
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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