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RMLV0816BGSB-4S2#HA0

RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation

rmlv0816bgsb-4s2-datasheet
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+8.71 EUR
2000+8.48 EUR
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Technische Details RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RMLV0816BGSB-4S2#HA0 nach Preis ab 7.35 EUR bis 10.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics Corporation rmlv0816bgsb-4s2-datasheet Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
10+9.41 EUR
25+9.13 EUR
50+8.91 EUR
100+8.7 EUR
250+8.41 EUR
500+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.85 EUR
10+9.9 EUR
25+9.37 EUR
100+9.15 EUR
250+8.84 EUR
500+8.65 EUR
1000+7.35 EUR
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RENESAS RNCC-S-A0012509227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RENESAS RNCC-S-A0012509227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
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rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.12 EUR
10+9.41 EUR
25+9.13 EUR
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Hersteller: Renesas Electronics
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 RNCC-S-A0012509227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RMLV0816BGSB-4S2#HA0
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
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Speicherdichte: 8Mbit
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
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IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 3.6V
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SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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