Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1101,LF(CT
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101-06.pdf Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Weitere Produktangebote RN1101,LF(CT nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Hersteller : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2080+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2080
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 4509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.32 EUR
79+ 0.22 EUR
163+ 0.11 EUR
500+ 0.09 EUR
1000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 56
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Hersteller : Toshiba RN1101_datasheet_en_20210830-740910.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
auf Bestellung 31839 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
103+0.51 EUR
152+ 0.34 EUR
323+ 0.16 EUR
1000+ 0.099 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.068 EUR
24000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 103
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Hersteller : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar