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RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT TOSHIBA

3621111.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1201+0.2 EUR
1475+0.15 EUR
1909+0.11 EUR
2625+0.082 EUR
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Technische Details RN1101,LF(CT TOSHIBA

Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RN1101,LF(CT nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT TOSHIBA 3621111.pdf Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
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RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
104+0.2 EUR
168+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Toshiba 82517DC3732D5685C4606A143368149EBB0DB7C1C6CAC495CB93E199B5CA4334.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
auf Bestellung 12367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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RN1101,LF(CT
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1101,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1101,LF(CT
Hersteller: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
auf Bestellung 12367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.43 EUR
13+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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