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Technische Details RN1102,LF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote RN1102,LF(CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN1102,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis |
auf Bestellung 52035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1102,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1102,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Verhältnis Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 52035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1102,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RN1102,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RN1102,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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