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RN1104MFV,L3F(CT

RN1104MFV,L3F(CT Toshiba

rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
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Technische Details RN1104MFV,L3F(CT Toshiba

Description: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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Anzahl Preis
8000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
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RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Hersteller : Toshiba RN1104MFV_datasheet_en_20210818-1627374.pdf Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT723 50V
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1000+0.048 EUR
8000+0.033 EUR
24000+0.03 EUR
48000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 23791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
182+0.097 EUR
500+0.07 EUR
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2000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Hersteller : TOSHIBA RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 881425 Stücke:
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RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Hersteller : TOSHIBA RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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