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Technische Details RN1105,LF(CT Toshiba
Description: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RN1105,LF(CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
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RN1105,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM |
Produkt ist nicht verfügbar |