RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RN1106,LF(CT nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
auf Bestellung 18108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
auf Bestellung 5999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
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RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
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| RN1106,LF(CT | Hersteller : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
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