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RN1108,LXHF(CT

RN1108,LXHF(CT Toshiba

RN1108_datasheet_en_20210830-1628507.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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Technische Details RN1108,LXHF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416).