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RN1116,LXHF(CT

RN1116,LXHF(CT Toshiba

RN1116_datasheet_en_20210830-1627089.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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Technische Details RN1116,LXHF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416).